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Doping in III-V Semiconductors - Cambridge Studies in Semiconductor Physics and Microelectronic Engineering
Schubert, E. F. (AT&T Bell Laboratories, New Jersey)
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Doping in III-V Semiconductors - Cambridge Studies in Semiconductor Physics and Microelectronic Engineering
Schubert, E. F. (AT&T Bell Laboratories, New Jersey)
This is the first book to describe thoroughly the many facets of doping in compound semiconductors. Equal emphasis is given to the fundamental materials physics and to the technological aspects of doping. The various techniques and the key characteristics of dopants that are employed in III–V semiconductors are presented.
632 pages, 240 b/w illus. 1 table
| Medien | Bücher Taschenbuch (Buch mit Softcover und geklebtem Rücken) |
| Erscheinungsdatum | 22. August 2005 |
| ISBN13 | 9780521017848 |
| Verlag | Cambridge University Press |
| Seitenanzahl | 632 |
| Maße | 229 × 151 × 40 mm · 936 g |
| Sprache | Englisch |
| Serienredakteur | Ahmad, Haroon |
| Serienredakteur | Broers, Alec |
| Serienredakteur | Pepper, Michael |
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