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Advancing Silicon Carbide Electronics Technology II
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Advancing Silicon Carbide Electronics Technology II
The book presents an in-depth review and analysis of Silicon Carbide device processing. Keywords: Silicon Carbide, SiC, Technology, Processing, Semiconductor Devices, Material Properties, Polytypism, Thermal Oxidation, Post Oxidation Annealing, Surface Passivation, Dielectric Deposition, Field Effect Mobility, Ion Implantation, Post Implantation Annealing, Channeling, Surface Roughness, Dry Etching, Plasma Etching, Ion Etching, Sputtering, Chemical Etching, Plasma Chemistry, Micromasking, Microtrenching, Nanocrystal, Nanowire, Nanotube, Nanopillar, Nanoelectromechanical Systems (NEMS).
292 pages
Medien | Bücher Taschenbuch (Buch mit Softcover und geklebtem Rücken) |
Erscheinungsdatum | 15. März 2020 |
ISBN13 | 9781644900666 |
Verlag | Materials Research Forum LLC |
Seitenanzahl | 292 |
Maße | 230 × 152 × 13 mm · 394 g |
Redakteur | Vasilevskiy, K |
Redakteur | Zekentes, K |